Científicos proponen modelo que podría alargar la vida de dispositivos electrónicos

2019-04-30T12:16:59-04:00 Martes, 30 Abril 2019|

La investigación, publicada en la última edición de la revista Physical Review Applied, fue una colaboración chileno-francesa liderada por Karin Alfaro, investigadora del Instituto Milenio de Óptica MIRO. “Lo que hicimos fue postular un modelo matemático para la oxidación de películas delgadas que contienen aluminio, muy abundante en la electrónica contemporánea”, explica Karin Alfaro.

Karin Alfaro, investigadora del Instituto Milenio de Óptica MIRO.
Karin Alfaro, investigadora del Instituto Milenio de Óptica MIRO.

El estudio se centró en la interfaz “así denominamos el límite que separan la parte oxidada de la no oxidada. Aquí descubrimos que la forma de dicha interfaz (su geometría) puede mejorar las propiedades de ciertos dispositivos. Por ejemplo, en un láser tipo VCSEL (como el que hay dentro de algunos celulares) su haz de luz puede aumentar su intensidad o podría requerir menos energía para hacerlo funcionar”.

Este trabajo es sumamente interesante “porque ataca un problema fundamental en la tecnología de láser y materiales basados en semiconductores como es la oxidación”, explica Marcel Clerc, académico del Departamento de Física FCFM de la Universidad de Chile y Subdirector del Instituto Milenio de Óptica MIRO.

Para llegar a este logro los científicos tuvieron que, en primer lugar, manipular experimentalmente las películas que son aproximadamente del ancho de un cabello humano y luego describir los cambios de la interfaz utilizando modelos teóricos apoyado de simulaciones numéricas, “Fue algo muy desafiante, sin ir más lejos antes de esta investigación, los modelos teóricos no podían describir la evolución de la geometría…pero eso ya es pasado”, señala Alfaro.

Con esos datos los científicos chilenos llevaron a cabo el diseño de un modelo que logró predecir la geometría del frente de oxidación húmeda, donde Karin tuvo un papel central en la descripción teórica además de su caracterización numérica.

Gracias a los resultados, el equipo espera encontrar la velocidad de dicha interfaz, así como estudiar geometrías más complejas o conocer cómo funciona el modelo en materiales que favorezcan la oxidación.

Revisa la publicación oficial en la revista Physical Review Applied en el siguiente link: http://bit.ly/2PCQJgR.